Уперше кількісно описано спостережуваний спектральний розподіл фотоелектричної квантової ефективності тонкоплівкової гетероструктури CdS/CdTe з урахуванням дрейфової та дифузійної складової фотоструму, рекомбінаційних втрат на межах поділу та в області просторового заряду. З'ясовано вплив параметрів поглинаючого шару (його товщини, часу життя носіїв заряду, швидкості поверхнової рекомбінації, концентрації некомпенсованих домішок) у їх комплексі на струм короткого замикання тонкоплівкової гетероструктури CdS/CdTe. На основі генераційно-рекомбінаційного механізму переносу заряду, доповненого надбар'єрним струмом неосновних носії за підвищених напруг, знайдено залежності напруги розімкненого кола та коефіцієнта корисної дії сонячного елемента CdS/CdTe від параметрів діодної структури. Уперше з'ясовано можливості застосування тонкоплівкових бар'єрних структур на основі CdS/CdTe в детекторах з прямим перетворенням X-променевого зображення в електричні сигнали. Визначено механізми процесів, що визначають темновий струм і спектральний розподіл детектуючої ефективності в таких пристроях.

  Скачати повний текст